24AA04/08　串口EEPROM
工作电压范围1.8~5.5V;动作电流1mA;容量4K/8K;分为2个/4个存储区,每区256字节;2线式串行总线接口,同I2C总线兼容;页面写入缓冲区达16字节;写入时间2ms;具有硬件写入保护、噪声抵制和输出压降控制功能;可用作串口ROM;擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V。
24AA16 串口EEPROM
工作电压范围1.8~5.5V;容量16K;动作电流1mA;分为8个存储区,每区256字节;2线式串行总线接口,同I2C总线兼容;页面写入缓冲区达16字节;写入时间2ms;具有硬件写入保护、噪声抵制和输出压降控制功能;可用作串口ROM;擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V。
24AA164 串口EEPROM
工作电压范围1.8~5.5V;容量16K;动作电流备用是电流分别为10μA(5.5V时)和5μA(3.0V时);分为8个存储区,每区256字节;2线式串行总线接口,同I2C总线兼容、8个芯片可串接,具有噪声抵制和输出压降控制功能;页面写入缓冲区达16字节;写入时间2ms;有硬件保护和工厂编程功能;擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V。
24AA32 串口EEPROM
工作电压范围1.8~6.0V;容量32K;峰值写入电流3mA;最大读出电流150μA;备用时电流为1mA,标准两线总线协议,同I2C总线兼容;总线可挂接此类芯片8个,总容量达256K;擦/写次数大于106;可使用每页8个字节或单字节两种方式;噪声抵制;输出压降控制功能;写入时间2ms;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V;可随机读出,也可顺序读出。
24AA32 A 串口EEPROM
工作电压范围1.8~6.0V;最大写入电流3mA;工作电压1.8V时备用时电流1μA;容量32K;标准两线串行接口,同I2C总线兼容;总线可挂接此类芯片8个,总容量达256K;加电、断电时数据保护;硬件写入保护;擦/写次数大于106;可使用每页32个字节或单字节两种方式;有噪声抵制和输出压降控制功能;写入周期时间2ms;静电放电保护超过4000V;数据保存时间大于200年;可随机读出,也可顺序读出。
24AA65　　串口EEPROM
工作电压范围1.8~6.0V;写入电流峰值为3mA;最大读出电流150μA;备用时电流1μA;标准二线式总线协议,同I2C总线兼容;可使用每页8个字节或单字节两种方式;总线可接8个器件,总容量达512K;加电、断电时数据保护;擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;单片容量为64K;ESD保护超过4000V。
24C32　　串口EEPROM
工作电压范围4.5~5.5V;峰值写入电流为3mA;最大读出电流150μA;备用时电流1μA;容量32K;标准二线式总线协议,同I2C总线兼容;加电、断电时数据保护;每页8个字节或单字节两种方式;64字节的高速缓存;擦/写次数大于106;写入周期时间2ms;总线可接8个器件;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V;可随机读出,也可顺序读出。有噪声抵制和输出压降控制功能。
24C65　　串口EEPROM
工作电压范围4.5~5.5V;最大写入电流为3mA;最大读出电流150μA;备用时电流1μA;标准二线式总线协议,同I2C总线兼容;加电、断电时数据保护;每页8个字节或单字节两种方式;写入周期时间一般为2ms;输入高速缓存64字节;一条总线可接8个器件;总容量达512K;加电、断电时数据保护;擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;容量为64K,I2C接口。
24FC16　串口EEPROM
工作电压范围4.5~5.5V;最大写入电流为3mA;读出电流一般为200μA;容量16K;分为8个存储区,每区256字节;每页写入缓冲区16字节;写入周期时间一般为2ms;二线式串行总线接口,同I2C总线兼容;有硬件写入保护和噪声抵制功能;可用作串口ROM;备用时电流分别为10μA(5.5V时)和5μA(3.0V时);擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V;
24FC32　串口EEPROM
工作电压范围4.5~5.5V;容量32K;标准二线总线协议;同I2C总线兼容;最大写入电流为3mA;读出电流为150μA;备用时电流1μA;1MHz的SE2总线二线式协议;加电、断电时数据保护;以4K为单位的擦/写次数大于106;可使用每页8个字节或单字节模式;输入高速缓存为64K字节;写入时间一般为2ms;总线可连接8个器件,总容量为256K;数据保存时间大于200年;ESD保护超过4000V。
24FC65　串口EEPROM
工作电压范围4.5~5.5V;最大写入电流为3mA;读出电流一般为150μA;备用时电流1μA;I2C总线串行接口;容量64K;1MHz的SE2总线两线协议;总线可接8个器件,总容量可达512K;加电、断电时数据保护;每页字节数可变,最多可达64字节;线路输入高速缓存为8byet×8;写入时间小于3ms;数据保存时间大于200年;ESD保护超过4000V。
24LC04B/08B　串口EEPROM
工作电压范围2.5~5.5V;动作电流1mA;容量4K/8K;分为2个/4个存储区,每区256字节;2线式串行接口,同I2C总线兼容;页面写入缓冲区达16字节;写入时间为2ms;有硬件写入保护、噪声抵制和输出压降控制功能;可用作串口ROM、可工厂编程;擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V。
24LC164　串口EEPROM
工作电压范围2.5~5.5V;容量16K;动作电流1mA;备用时电流分别为10μA(5.5V时)和5μA(3.0V时);分8个存储区;每个区256字节;2线式串行接口,同I2C总线兼容;8个芯片可串接;页面写入缓冲区达16字节;写入时间为2ms;有硬件写入保护和输出压降控制功能;可工厂编程;可抵制噪声和用作串口ROM; 擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V。
24LC16B　串口EEPROM
工作电压范围2.5~5.5V;容量16K;动作电流1mA;分8个存储区;每个区256字节;2线式串行接口,同I2C总线兼容;页面写入缓冲区达16字节;写入时间为2ms;有硬件写入保护和输出压降控制功能;可用作串口ROM; 可工厂编程;擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V。
24LC174　串口EEPROM
工作电压范围2.5~5.5V;容量16K;16个字节的安全的OTP存储区;动作电流1mA;备用时电流分别为10μA(5.5V时)和5μA(3.0V时);分8个存储区;每个区256字节;2线式串行接口,同I2C总线兼容;8个芯片可串接;具有噪声抵制和输出压降控制功能;页面写入缓冲区达16字节;写入时间为2ms;有写入硬件保护和一次编程功能;擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V。
24LC32　串口EEPROM
工作电压范围2.5~6.0V;容量32K;峰值写入电流为3mA;最大读出电流150μA;备用时电流1μA;标准两线总线协议,同I2C总线兼容;加电、断电时数据保护功能;擦/写次数大于106;可使用每页8个字节或单字节模式两种方式;噪声抵制;输出压降控制;写入时间为2ms;可挂接8个此种芯片;总容量达256K;数据保存时间大于200年;静电放电保护超过4000V。可随机读出,也可顺序读出。
24LC32A　串口EEPROM
工作电压范围2.5~6.0V;最大写入电流为3mA;工作电压为2.5V时,备用时电流1μA;标准两线总线协议,同I2C总线兼容;总线可挂接8个类似器件;总容量达256K;单个芯片容量为32K;加电、断电时数据保护功能;具有噪声抵制和输出压降控制功能;写入时间为2ms;硬件保护功能;擦/写次数大于106;可使用每页32个字节或单字节模式两种写入方式;静电放电保护超过4000V。数据保存时间大于200年;可随机读出,也可顺序读出。
24LC65　串口EEPROM
工作电压范围2.5~6.0V;容量64K;峰值写入电流为3mA;最大读出电流150μA;备用时电流1μA;标准两线总线协议,同I2C总线兼容;可使用每页32个字节或单字节模式;写入时间为2ms;总线可挂接8个类似器件;总容量达512K;加电、断电时数据保护功能;擦/写次数大于106;数据保存时间大于200年;ESD保护超过4000V。
25AA040　串口EEPROM
工作电压范围1.8~5.5V;SP1总线接口;容量4K;时钟频率3.0MHz;最大写入电流为5mA;读出电流在3.0MHz、5V时为500μA;备用时电流1μA;结构形式512×8;每页16个字节;顺序读取;写入保护;加电、断电时数据保护功能;写入允许信号锁存;擦/写次数大于10×106次;数据保存时间大于200年;ESD保护超过4000V。
25AA080/160　串口EEPROM
工作电压范围1.8~5.5V;SP1总线接口;容量分别为8K/16K;最大写入电流为5mA;读出电流为1mA;备用时电流1μA;结构形式分别为1024×8/2048×8;每页16个字节;顺序读取;写入保护;加电、断电时数据保护功能;写入允许信号锁存;擦/写次数大于10×106次;数据保存时间大于200年;ESD保护超过4000V。
25AA320　串口EEPROM
工作电压范围+1.8~5.5V;容量32K;时钟频率3.0MHz;SP1总线接口;最大写入电流为5mA;最大读出电流为1mA;备用时电流1μA; 25C040　串口EEPROM
工作电压范围5.0V;SP1总线接口;容量4K;最大写入电流为5mA;最大读出电流为1mA;备用时电流1μA;结构形式为512×8;每页16个字节;顺序读取;写入保护;加电、断电时数据保护功能;写入允许信号锁存;擦/写次数大于1×106次;数据保存时间大于200年;ESD保护超过4000V。
25C080/160　串口EEPROM
工作电压范围5.0V;SP1总线接口;容量
25C320　串口EEPROM
工作电压范围4.5~5.5V;容量32K;时钟频率3.0MHz;SP1总线接口;最大写入电流为5mA;读出电流为1mA;备用时电流1μA;结构形式为4096×8;每页32个字节;顺序读取;写入保护;加电、断电时数据保护功能;写入允许信号锁存;擦/写次数大于1×106次;数据保存时间大于200年;ESD保护超过4000V。
25C040　串口EEPROM
工作电压范围2.5~5.5V;SP1总线接口;容量4K;时钟频率3.0MHz;SP1总线接口;最大写入电流为5mA;读出电流为1mA;备用时电流1μA;结构形式为512×8;每页16个字节;顺序读取;写入保护;加电、断电时数据保护功能;写入允许信号锁存;擦/写次数大于1×106次;数据保存时间大于200年;ESD保护超过4000V。
25C080/160　串口EEPROM
工作电压范围2.5~5.5V;SP1总线接口;容量分别为8K/ 16K;时钟频率3.0MHz;最大写入电流为5mA;读出电流为1mA;备用时电流1μA;结构形式分别为1024×8/2048×8;每页16个字节;顺序读取;写入保护;加电、断电时数据保护功能;写入允许信号锁存;擦/写次数大于1×106次;数据保存时间大于200年;ESD保护超过4000V。
25C320　串口EEPROM
工作电压范围2.5~5.5V;SP1总线接口;时钟频率3.0MHz;可进行编程操作的单电源电压可降至2.5V;最大写入电流为5mA;读出电流为1mA;备用时电流1μA;结构形式为512×8;每页32个字节;顺序读取;写入保护;加电、断电时数据保护功能;写入允许信号锁存;擦/写次数大于1×106次;数据保存时间大于200年;ESD保护超过4000V, 容量32K。
27011　8×16K×8位PAGED　EPROM
可页面寻址紫外线擦除电可编程只读存贮器,由8个具有独立地址空间的16K字节EPROM阵列构成(每个阵列为一页)。最大工作电流150mA,维持电流50mA;读出时间最大250ns;单+5V电源;引脚/PGM//WE为编程脉冲/页面选择写使能端;27011的读、维持工作方式与一般的EPROM完全相同;当/CE和/WE端为低电平时,芯片处于页面选择(写)工作方式。
页面选择数据表
27128、27C128 16K×8位PAGED　EPROM
27128为NMOS产品;所有输入输出与TTL兼容;三态输出;除26脚外,与2764引脚兼容;工作电流最大100mA,维持电流40mA,读出时间最大250ns;VCC=+5V。27C128为CMOS产品,功耗比NMOS小得多。
功能表
2716、27C16　 2K×8位EPROM
2716为NMOS产品;输入输出全部与TTL兼容;三态输出;数据可采用紫外线擦除;与TMS2716电源不同;单+5V电源;VDD=VPP=+5V;当/OE和/CE/PMG同时为“L”时,读输出选择有效。27C16为CMOS产品,功耗比NMOS小得多。
27256、27C256 32K×8位EPROM
27256为NMOS产品;所有输入输出与TTL兼容;三态输出;除27脚外,与27128引脚兼容;工作电流100mA,维持电流40mA,读出时间最大250ns;VDD=+5V。27C256为CMOS产品,功耗比NMOS小得多。
功能表
27512、27C512 64K×8位EPROM
27512为NMOS产品;输入输出全部与TTL兼容;三态输出;除1脚外,与27256引脚兼容;工作电流125mA,维持电流40mA,读出时间最大250ns;VDD=+5V。27C512为CMOS产品,功耗比NMOS小得多。
功能表
27513 4×16K×8位EPROM
可页面寻址紫外线擦除电可编程只读存贮器,由4个具有独立地址空间的16K字节EPROM阵列构成(每个阵列为一页)。最大工作电流125mA,维持电流40mA;读出时间最大250ns;单+5V电源;引脚/RST为页面选择逻辑复位端;/WE为页面选择写使能端。27513的读、维持工作方式与一般的EPROM完全相同;当/CE和/WE为低电平时,芯片处于页面选择(写)工作方式。
页面选择数据表
2764　8K×8位EPROM
2764为NMOS产品;三态输出;输入输出全部与TTL兼容;与2732型的引脚兼容;有维持工作方式;有/OE和/CS两个控制端;VDD=+5V;当/CS的/OE同时为“L”时,读输出选择有效。
27C128　CMOS EEPROM
工作电压5.0V;存取时间120ns;容量128K;动作电流20mA;备用时电源电流为100μA;自动ID辅助自动编程;分离的芯片允许和输出允许控制。
27C256　CMOS EEPROM
工作电压+5.0V;存取时间90ns;容量256K;动作电流20mA;备用时电源电流为100μA;自动ID辅助自动编程;数据保存时间大于200年。
27C512A　CMOS EEPROM
工作电压5.0V;存取时间25ns;容量512K;备用时电源电流为30μA;自动ID辅助自动编程;数据保存时间大于200年。
27C64
工作电压+5.0V;存取时间120ns;容量64K;动作电流20mA;备用时电源电流为100μA;自动ID辅助自动编程;单独的芯片允许和输出允许控制。
27LV256　　CMOS EEPROM
工作电压3.0~5.5V;电源电压3.0V时的访问时间为200ns;3.0V时的动作电流为8mA;5.5V时的动作电流为20mA;备用时电源电流为100μA;自动ID辅助自动编程;数据保存时间大于200年;容量为256K。
27LV64　　CMOS EEPROM
工作电压3.0~5.5V;容量为64K;电源电压3.0V时的访问时间为200ns;3.0V时的动作电流为8mA;5.0V时的动作电流为20mA;备用时电源电流为100μA;自动ID辅助自动编程;分离的芯片允许和输出允许控制。
2816 2K×8位并行EEPROM
电擦除可编程只读存贮器。HMOS工艺,工作电流110mA;静止等待电流50mA;存取时间,2816最大为250ns,2816-3为350ns,2816-4为450ns;10ns字节擦/写时间,10ms擦片时间;写与擦除由单个21V的脉冲来进行;VCC=+5V;能擦/写1万次。
功能表
2817A　 2K×8位并行EEPROM
电擦除可编程只读存贮器。最大工作电流160mA,维持电流60mA;典型读出时间250ns;维持和读出方式与普通的EEPROM或SRAM相同字节写入方式与2817A相同;可进行页面写入芯片内部没有16字节的“页缓冲器”,整个存贮器阵列分为512页,每页16字节,页的区分由A4~A12确定,A0~A3选择每页的16个地址单元之一;最大存贮时间10ms;数据查询方式可用软件检测写操作中的“页存贮”周期是否完成;VCC=+5V。
功能表
28C04A CMOS EEPROM
工作电压+5.0V;读取时间150ns;容量4K;动作电流30mA;备用时电流100μA;字节写入时间1ms;数据保存时间大于200年;擦/写次数大于10^4次;“写”操作时有内部控制计时器;“写”操作前可自动擦除;片上有地址和数据锁存器;有数据保护功能。
28C16A CMOS EEPROM
工作电压+5.0V;读取时间150ns;容量16K;动作电流30mA;备用时电流100μA;字节写入时间1ms;数据保存时间大于200年;擦/写次数大于10^4次;“写”操作时有内部控制计时器;“写”操作前可自动擦除;片上有地址和数据锁存器;有数据保护功能。
28C17A CMOS EEPROM
工作电压+5.0V;读取时间150ns;容量16K;动作电流30mA;备用时电流100μA;字节写入时间1ms;数据保存时间大于200年;擦/写次数大于10^4次;“写”操作时有内部控制计时器;“写”操作前可自动擦除;片上有地址和数据锁存器;有数据查询信号和“读”准备好/“忙”两种状态;有数据保护功能。
28C64A　CMOS EEPROM
工作电压+5.0V;读取时间150ns;容量64K;动作电流30mA;备用时电流100μA;字节写入时间1ms;数据保存时间大于200年;擦/写次数大于10^4次;“写”操作时有内部控制计时器;“写”操作前可自动擦除;片上有地址和数据锁存器;有数据查询信号和“读”准备好/“忙”两种状态;有数据保护功能。
28F256 32K×8位闪速(Flash)存贮器
可读写、非易失存贮器;芯片整体电擦除时间约1s;每个字节的编程时间约100μs,整个芯片编程为4s,对于28 F256A,整片编程时间为0.5s;最少1万个擦除/编程周期,通常可达10万个周期;采用12V±5％的编程电压;最大读取时间不超过135ns;最大工作电流30mA,备用状态最大电流100μA;与微处理器或微控制器接口兼容;VCC=12V±5％; 有DIP、PLCC和扁平小型引出线封装形式TSOP,TSOP封装有标准引脚和逆向引脚两种结构。
28F256(TSOP封装)标准引脚功能表
28F512　64K×8位闪速存贮器
可读写、非易失存贮器;芯片整体电擦除时间约1s;每个字节的编程时间约100μs,整个芯片编程为1s,最少1万个擦除/编程周期,通常可达10万个周期;采用12 V±5％的编程电压;最大读取时间不超过135ns;最大工作电流30mA,备用状态最大电流100μA;与微处理器或微控制器接口兼容;VCC=5V±10％; 有DIP、PLCC和TSOP三种封装形式,与28F256的引脚图相比较,对于DIP和PLCC封装的第3脚,TSOP封装的第11脚,28F512应为A15。
28LV64V　CMOS EEPROM
工作电压范围2.7~3.6V;读取时间300ns;动作电流8mA;备用时电流50μA;字节写入时间3ms;数据保存时间大于200年;容量64K;写操作时有内部控制计时器;写操作前可自动擦除;片上有地址和数据锁存器;数据查询信号;有“读”准备好/“忙”两种状态;数据保护功能。
37LV36/65/128串口EPROM
工作电压范围3.0~6.0V;电源电压为5V时最大读出电流为10mA;备用时电流为100μA;标准同步串行接口;5V最大时钟频率为10MHz;硬件复位优先级可编程;容量分别为36K、65K和128K;静电放电保护大于4000V;全静态运行;顺序读/程序读;同XiLinx公司的XC1700系列兼容;数据保存时间大于200年。
58064　8K×8位EEPROM
可整片擦除和单字节擦除,整片擦除20ms;擦/写次数10^4次单电源,在进行擦/写和读操作时,最大电流100mA,维持状态最大电流40mA;在字节擦/写和片擦操作时,/WE脉冲宽度分别为10ms和20ms,应用中需考虑其允许写入脉冲信号的宽度。
功能表
68C257　32K×8位EEPROM
将地址锁存器集成到片内,功能与2片74HCT573、1片27 C257及2/674HCT04相当。68C257是专为非标准微控制总线而设计出来的,通常与68XX系列的微控制器配合使用。
87C257　32K×8位EPROM
片内集成了2片74HCT573地址锁存器,引脚与27 C257兼容。ALE/VPP引脚在读操作时,用作锁存器选通;在EPROM编程期间,用作高压输入,当ALE为高电平时,出现在A0~A14引脚上的地址有锁存器锁存并送至译码器,若此时/CE为TTL高电平,87 C257则工作在维持方式,此刻地址仍然被锁存;当ALE变为低电平后,地址锁存器保存当前地址引脚上出现的状态。
93AA46/56/66　串口EEPROM
工作电压范围1.8~5.5V;标准三线串行接口;1.8V时读电流70μA;备用时电流2μA(1.8V);容量分别为1K/2K/4K;结构形式分别为128×8或64×16/256×8或128×16/512×8/256×16,可用ORG选取选取;写入前自动擦除;加电、断电时数据保护;顺序读取;擦/写次数分别大于10＾6(93LC56/66)和10＾5(LC46)数据保存时间大于200年。
93AA76/86　串口EEPROM
工作电压范围1.8~5.5V;标准三线串行接口;容量分别为8K/16K;动作电流1mA;备用时电流5μA(3.0V时);结构形式分别为1024×8/512×16(93AA76)、2048×8/1024×16, 
93C76/86　串口EEPROM
　工作电压5.0V;Microwire总线3线接口;容量分别为8K/16K;动作电流1mA;结构形式可通过ORG引脚选择;1024×8或512×16(93C76)、2048×8或1024×16(93C86)写入前自动擦除;加电、断电时数据保护;顺序读取;擦/写次数大于10＾6;数据保存时间大于200年。
93LC46B/56B/66B　串口EEPROM
　工作电压2.0~5.0V;标准三线串行接口;容量分别为8K/4K;动作电流1mA;备用时电流5μA(3.0V时);存储器结构形式分别为1024×8/512×16(93LC76)、2048×8/1024×16(93LC86),可用ORG引脚选取;写入前自动擦除;加电、断电时数据保护;顺序读取;擦/写次数大于10＾6;数据保存时间大于200年。
93LCS56/66　串口EEPROM
　工作电压2.5~5.5V;标准三线串行接口;容量分别为2K/4K;动作电流1mA;备用时电流5μA(3.0V时);结构形式分别为128×16和256×16;用户自定义存储器空间的软件写入保护;写入前自动擦除;加电、断电时数据保护;顺序读取;擦/写次数大于10＾6;数据保存时间大于200年。
AM27C020 256×8位CMOS　EPROM
256×8位EPROM;数据三态输出;VPP=12.5V,VDD=5V。
AM27C040 512×8位CMOS　EPROM
512×8位EPROM;数据三态输出;VPP=12.5V,VDD=5V。
AM27C040 1M×8位CMOS　EPROM
1M×8位EPROM;数据三态输出;VPP=12.5V,VDD=5V。
AM27C160 2M×8位CMOS　EPROM
2M×8位EPROM;数据三态输出;VPP=12.5V,VDD=5V。42脚CDIP封装。
AM27C160功能表
DS1225AB/AD　8k×8位CMOS非易失性静态RAM
有一个用于自动保护其内容的锂电池,以及一个断地监视VCC是否超出容限的控制电路;VCC不接时仍能保护数据;掉电时数据能自动保护;DS1225AB与2764　EPROM、6264　SRAM或2864　EEPROM引脚兼容;写周期次数不受限制;数据保持超过10年读访问时间可以是100ns、120ns、150ns、170ns或200ns;读周期与写周期时间相等;锂电池在电气上不接通以保持容量完整;直到第一次供电时才接通;DS1225AB在VCC大于4.75V时提供全部功能而在4.5V时进入写保护,DS1225AD在VCC大于4.5V时提供全部功能而在4.25V时进入写保护。该芯片可直接代换MK48/08。
DS1230AB/Y　32 k×8位CMOS非易失性静态RAM
有一个用于自动保护其内容的锂电池,以及一个断地监视VCC是否超出容限的控制电路;VCC不接时仍能保护数据;掉电时数据能自动保护;DS1230AB与62256SROM或28256　 EEPROM引脚完全兼容;写周期次数不受限制;数据保持超过10年读; 访问时间可以是70 ns、85 ns、100ns、120ns、150ns或200ns;读周期与写周期时间相等;锂电池在电气上不接通以保持容量完整;直到第一次供电时才接通;DS1230AB在VCC大于4.75V时提供全部功能而在4.5V时进入写保护,DS1230Y在VCC大于4.5V时提供全部功能而在4.25V时进入写保护。该芯片可直接代换MK48Z32。
DS1230 Y / AB　NV SRAM
工作电压5.0V;容量256K;数据保持超过10年;可代替相应的SRAM、EEPROM或闪速存储器;读、写时间70ns;工作温度范围-40~85℃。
DS1245WB NV SRAM
工作电压3.3V;容量1024K;数据保存时间10年以上;可代替相应的SRAM、EEPROM或闪速存储器;读取、写入时间150ns;工作温度范围-40~85℃。
DS1248Y 带虚拟时钟的NV SRAM
工作电压5.0V;容量1024K;实时跟踪、记录秒、分、时、日、月、年、星期;可代替SRAM或EEPROM自动确定每月天数;有效期至2100年;精度小于±1分/月;数据保存10年以上;存取时间为120ns、150ns、200ns三种。
DS1249Y/AB NV SRAM
工作电压5.0V;容量2048K;数据保存10年以上;读出、写入时间70ns;工作温度范围-40~85℃。
DS1250W NV SRAM
工作电压3.3V;容量4096K;数据保存10年以上;可代替相应的SRAM、EEPROM或闪速存储器;读、写时间150ns;工作温度范围-40~85℃。
DS1250 Y/AB NV SRAM
工作电压5.0V;容量4096K;数据保存10年以上;可代替相应的SRAM、EEPROM或闪速存储器;低功耗CMOS电路;读出、写入时间70ns;工作温度范围-40~85℃。
DS1251Y 带虚拟时钟的NV SRAM
工作电压5.0V;容量4096K;实时跟踪、记录秒、分、时、日、月、年、星期;精度小于±1分/月;数据保存10年以上;存取时间为120ns、150ns二种;有AM/PM之分。
DS1258W NV SRAM
入选择;读写时间150ns。
工作电压5.0V;容量128K×16;数据保存10年以上;读写时间70ns;工作温度范围-40~85℃。
DS1265Y/AB NV SRAM
工作电压5.0V;容量8M;数据保存10年以上;读写时间70ns;工作温度范围-40~85℃。
DS1270Y/AB NV SRAM
工作电压5.0V;容量16M;数据保存5年以上;读写时间70ns;工作温度范围-40~85℃。
DS1345W/AB 带电池监视器的NV SRAM
工作电压3.3V;容量1024K;数据保存10年以上;读写时间150ns;静态电流50μA;VCC过低时自动保护数据;可代替相应的SRAM、EEPROM或闪速存储器。
DS1345Y/AB 带电池监视器的NV SRAM
工作电压5.0V;容量1024K;数据保存10年以上;读写时间70ns;静态电流50μA;可代替相应的SRAM、EEPROM或闪速存储器;监视VCC,当VCC超出误差范围时,自动进入写保护。
DS1350W 带电池监视器的NV SRAM
工作电压3.3V;容量4096K;数据保存10年以上;读写时间150ns;静态电流50μA;VCC过低时自动保护数据;可代替相应的SRAM、EEPROM或闪速存储器。
DS1350Y/AB 带电池监视器的NV SRAM
工作电压5.0V;容量4096K;数据保存10年以上;读写时间70ns;静态电流50μA; VCC过低时自动保护数据;可代替相应的SRAM、EEPROM或闪速存储器。 
DS1553P/DS1553WP　计时RAM
工作电压5.0V/3.3V;精密地加电单位功能;存储数据可保留10以上;可编程看门狗计时器及RTC报警;BCD码形式的世纪、年、月、日、星期、时、分、秒数据;电池电压指示;电源故障写保护;容量64K。
DS1614/1647P 非易失计时RAM
工作电压5.0V;数据保存10年以上;存储时间120ns和150ns; BCD码的年、月、日、星期、时、分、秒。
DS1642 非易失计时RAM
工作电压5.0V;数据保存10年以上;存储时间120ns和150ns; 石英晶体精度±1分/月;BCD码的年、月、日、星期、时、分、秒。
DS1643/1643P 非易失计时RAM
工作电压5.0V;数据保存10年以上;存储时间120ns和150ns; BCD码的年、月、日、星期、时、分、秒。
DS2404　带时钟的存储器
工作电压范围2.8~5.5V;工作温度范围-40~85℃;4096位双口存储器含实时时钟/日历、可编程间隔计时器和加电周期计时器;有单线接口,速率16.3Kbps;三线主接口,速率2MHz;有唯一64位注册号;存储器分16页,每页256位;带有严密性,有可编程报警、时钟等功能。
DS2404S-C01　带时钟的双口存储器
工作电压范围2.8~5.5V;工作温度范围-40~85℃;4096位非易失双口存储器,内含二进制形式的时钟/日历,可编程间隔计时器和加电周期计时器;有同MicroLAN单线接口,通信速率16.3Kbps;三线主接口,速率2MHz;有唯一64位注册号(8位系列码、48位串行号、8位CRC校验);存储器分16页,每页256位;带有严密性读/写协议的256位便笺,确保数据传输完整性。有可编程报警、时钟等功能。
DS2422/DS2423　带计数器的单总线RAM
工作电压范围2.8~5.5V;工作温度范围-40~85℃;DS2422为4096位SRAM; DS2423为1024位两者分别包含三个、四个32位只读计数器;分为4页×256位便笺,16位CRC发生器,直接连微处理器单线接口,速率16.3Kbps。
DS2430A　单总线EEPROM
工作电压范围2.8~6.0V;工作温度范围-40~85℃;有唯一64位注册号;共256位,仅一页、32个字节,可随机访问;控制、地址、数据和电源共用一个data引脚;可直接连微处理器单口通信引脚,速率16.3Kbps。
DS2433　　单总线EEPROM
工作电压范围2.8~6.0V;工作温度范围-40~85℃;容量4096位,分16页,每页256位;控制、地址、数据和电源共用一个data引脚;可直接连微处理器单口通信引脚,速率16.3Kbps,内含多点控制器,同其他MicroLAN产品兼容。
DS2502 　只加存储器(EPROM)
读出电压范围2.8~6.0V;编程电压范围11.5~12V;工作温度范围-40~85℃;1K EPROM;有唯一64位注册号;内含多点控制器,同其他MicroLAN产品兼容;存储划分为4页,每页256位;可带写保护;控制、数据、功率和编程信号共用一个data引脚;可直接连微处理器单口通信引脚,速率16.3Kbps,8位系列码确定器件的通信需求。
DS2505 　只加存储器(EPROM)
工作电压范围2.8~6.0V;编程电压12V;工作温度范围-40~85℃;16K EPROM;有唯一64位注册号;存储划分为64页,每页256位;内含多点控制器,同其他MicroLAN产品兼容;“只加”操作不影响已存数据;控制、数据、功率和编程信号共用一个data引脚;可直接连微处理器单口通信引脚,速率16.3Kbps。
DS2506 　只加存储器(EPROM)
工作电压范围2.8~6.0V;编程电压12V;工作温度范围-40~85℃;64K EPROM;有唯一64位注册号;存储划分为256页,每页256位;可带写保护;可随机访问;控制、数据、功率和编程信号共用一个data引脚;可直接连微处理器单口通信引脚,速率16.3Kbps,8位系列码确定器件的通信需求。
HM51258P　256K×1位CMOS动态RAM
256刷新周期/4ms(仅/RAS),可隐刷新,/CAS前/RAS刷新;边缘触发记录;VCC=+5V。类似型号:HM51256P、MB81C258、V51C256C。
KM416C1000A/1200A、KM416V1000A/1200A动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量1M×16位;快速页面方式;刷新周期64ms/16ms;输入输出同TTL(5V)、LVTTL(3.3V)兼容。
KM416C1004A/1024、KM416V1004A/1024A
工作电压3.3V或5.0V;容量1M×16位;扩充数据输出模式;字节/字读/写操作;输入、输出同TTL(5V) 、LVTTL(3.3V)兼容;刷新周期64ms/16ms。
KM416C254B/V254B 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量256K×16位;扩充数据输出模式;可位操作;输入、输出同TTL(5V) 、LVTTL(3.3V)兼容;刷新周期8ms/128ms(L)。
KM416C256B/416V256B 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量256K×16位;快速页面方式;可位操作;输入、输出同TTL(5V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期8ms/128ms(L)。
KM418C256B 动态RAM
工作电压5.0V;容量256K×16位;快速页面模式;输入、输出同TTL(5V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期8ms/128ms(L)。
KM41C1000D动态RAM
工作电压5.0V;容量1M;快速页面模式;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期8ms;工作电流小60μA。
KM41C1600A/V1600A 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量16M;快速页面模式;输入、输出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期64ms/128ms(L)/256(SL)。
KM41C4000A/V4000A 
工作电压3.3V或5.0V;容量4M;快速页面模式;输入、输出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期16ms/128ms(L)。
KM41C4002C 动态RAM
工作电压5.0V;容量4M;静列模式;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期16ms。
KM41C16002C 动态RAM
工作电压5.0V;容量16M;静列模式;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期64ms。
KM432V502/522 动态RAM
工作电压3.3V;容量512K×32位;快速页面模式;输入、输出同LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期64ms/16ms。
KM432V504/524 动态RAM
工作电压3.3V±0.3V;容量512K×32位;扩展数据输出的快速页面模式;字体/字读写操作;输入、输出同LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期64ms/16ms。
KM44C1000C/V1000C 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量1M×4位;快速页面模式;输入、输出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期16ms/128ms(L)。
KM44C1002C 动态RAM
工作电压5.0V;容量1M×4位;静列模式;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期16ms。
KM44C1003C 四CAS动态RAM
工作电压5.0V;容量1M×4位;快速页面模式;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期16ms。
KM44C1004C/V1004C 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量1M×4位;扩展数据输出;输入、输出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期16ms/128ms(L)。
KM44C1010C 动态RAM
工作电压5.0V;容量1M×4位;快速页面模式;可位操作;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期16ms。
KM44C256D 动态RAM
工作电压5.0V;容量256K×4位;输入、输出同TTL电平兼容;快速页面模式;刷新周期8ms/128ms(L)。
KM44C4000A/4100A、KM44V4000A/4100A 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量4M×4位;快速页面模式;输入、输出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期64ms/32ms。
KM44C4002A/4102A 动态RAM
工作电压5.0V;容量4M×4位;静列模式;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM44C4003A/4103A 四CAS
工作电压5.0V;容量4M×4位;快速页面模式;四个独立/CAS引脚可作单独的I/O操作;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM44C4004A/4104A、KM44V4004A/4104A 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量4M×4位;扩展数据输出;输入、输出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM44C4010A/4110A 动态RAM
工作电压5.0V;容量4M×4位;快速页面模式;写位操作;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM44V16000/16100 动态RAM
工作电压3.3V±0.3V;容量16M×4位;快速页面模式;输入、输出同LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期128ms/64 ms。
KM44V16000A/16100A 动态RAM
工作电压3.3V;容量16M×4位;快速页面模式;输入、输出同CMOS 、LVTTL电平兼容;随机读或写周期90/110/130ns;刷新周期64ms。
KM48C2000A/2100A、KM48V2000A/2100A 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量2M×8位;快速页面模式;输入、输出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM48C2004A/2104A、KM48V2004A/2104A 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量2M×8位;扩展数据输出;输入、输出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM48C512B/V512B 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量512K×8位;快速页面模式;可位操作;输入、输出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期16ms/128 ms(L)。
KM48C514B/V514B 动态RAM
工作电压3.3V或5.0V;容量512K×8位;扩展数据输出;可位操作;输入、输出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)电平兼容;刷新周期16ms/128 ms(L)。
KM48V8000/V8100 动态RAM
工作电压3.3V;容量8M×8位;快速页面模式;输入、输出同LVTTL电平兼容;刷新周期128ms/64 ms。
KM48V8000A/V8100A 动态RAM
工作电压3.3V;容量8M×8位;快速页面模式;输入、输出同LVTTL、CMOS电平兼容;刷新周期64 ms;工作电流110/150mA。
M9346　64×16位串口EEPROM
串口存取的电擦除可编程只读存贮器;具有在线改写数据和自动擦除功能;输入输出口与TTL兼容;片内有编程电压发生器,可以产生擦除和写入操作时所需的电压;片内有控制和定时发生器,擦除和写操作均由此定时电路自动控制;具有整体编程使能和截止功能以增强数据的保护能力;单+5V电源;处于等待状态时,电流1.5~3mA;有8脚双列直插塑封和14脚扁平式塑封;按照规定的指令格式进行操作。　
M9346指令表
MCM2814　256×8位串口EEPROM
电擦除可编程只读存贮器;采用HCMOS工艺,工作电流小于1mA,备用状态电流1μA;具串行接口;可字节编程,最多可同时编程4个字节;片内有编程电压发生器,不需外接编程电压;支持两种串行接口,双线串行接口/M-BUS(与I2C兼容)和四线串行接口/SPI接口;具有保护1/4、1/2或3/4的EEPROM不被任意写入的功能;电源电压读出时3~6V,编程时4.5~6V;复位后芯片进入数据保护状态;写入/擦除次数大于10＾4次;数据保存时间大于10年。
MCM6256　256K×1位NMOS动态RAM
I/O端分开,三态输出;输入输出与TTL兼容;256刷新地址;与4164引脚具有互换性;高速字节方式存取;单+5V电源。类似型号:HM50256/50257、AM90C255/90C256、KM41256/41257、M5M4256/257、MB81257、MN41256、MSM37256、MSM41256、TMM41256、μPD41256V、μPD41257C。
MK48Z02/12　2K×8位非易失性静态RAM
非易失性静态RAM,带有一个组装在一起的锂电池,电池寿命至少11年(70℃);电源掉电仍能保持数据;掉电时由自动写保护提供数据保护;引脚与2716 EPROM或6116 SRAM完全兼容;读写只须+5V电源;常规的SRAM写周期;功耗440mW,待命时5.5 mW;读访问时间可以是120ns、150ns、200ns或250ns,读周期时间相等;电池不足报警;有两种掉电重选的工作点,MK48Z02为4.75V>=VPFD>=4.50V, MK48Z12为4.50V>=VPFD>=4.20V。该芯片可直接代换DS1220。
功能表
MSM271000
工作电压5.0V;容量128K×8位;存取时间为120/150/200ns输入、输出同TTL电平兼容;编程电压12V;紫外线擦除,电可编程。
MSM271024　UV EPROM
工作电压5.0V;容量64K×16位;存取时间为120/150/200ns输入、输出同TTL电平兼容;紫外线擦除; 三态输出。
MSM27C401　UV EPROM
工作电压5.0V;容量512K×8位;存取时间为120/150ns输入、输出同TTL电平兼容; 三态输出; 功耗小于330mW。
MSM28F101 闪速存储器
工作电压5.0V;编程电压12V;容量1M;快速访问时间120/150/200ns;CMOS电平时的动作电流30mA,备用时电流100μA;TTL电平,备用时电流1mA;输入、输出同TTL电平兼容;数据保存时间10年以上。
MSM414256 256K×4位NMOS动态RAM 
三态输出;输入、输出同TTL电平兼容;512刷新周期8ms(仅/RAS);改写/CS前/RAS刷新;VCC=+5V。
MSM41464 64K×4位NMOS动态RAM 
I/O端公共;输入、输出同TTL电平兼容;页面模式;行存取时间最大为150ns;周期时间最小为200ns。VCC=+5V。类似型号:HM5046P/CP、HM50465、M5M4464P、MB81464、MN41464、MT4064、TMM41464P、V51C259HL、MPD41464。
MSM511001A　动态RAM
工作电压5.0V;容量1M;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期小于 8ms;内置VBB生成电路。
MSM511002A　动态RAM
工作电压5.0V;容量1M;输入、输出同TTL电平兼容;刷新周期小于 8ms;内置VBB生成电路。访问时间70/80/100ns。
MSM514101A/AL　动态RAM
工作电压5.0V;容量4M;输入、输出同TTL电平兼容;多位试验模式;内置VBB生成电路;存取时间可为70/80/100ns; 刷新周期小于 8ms。
MSM514201　串口寄存器
工作电压范围3.5~5.5V;容量1M;串行访问时间1.5μs(3.0μs);串行读写周期时间20μs(4.0μs);自动刷新/自动刷新可选。引脚定义如下:/TEST:测试输入;/SAS:串行地址选通;SAD:中行地址数据;/TAS:传输地址选通;/RS//A:自动刷新/自刷新选择;/RFSH:刷新时钟输入;/FAM:愉速访问模式选择;/RWCK:读写时钟;AU/D:地址增/减选择。
MSM514221A　串口寄存器
工作电压5.0V;容量1M;FIFO模式;用于数字电视等领域;512行×512列×4位;高速串行存取;存取时间25ns。引脚定义:SWCK:串行写入时钟;SRCK:串行读取时钟;RSTW:复位写入;RSTR:复位读出;Kin0~3:数据输入;Dout0~3:数据输出。
MSM514266B　动态RAM
工作电压5.0V;容量256K×4位;输入、输出同TTL电平兼容;访问时间60/70/80/100ns,每位皆可单写;刷新周期8ms。
MSM514410A/AL　动态RAM
工作电压5.0V;容量1M×4位;输入、输出同TTL电平兼容;内置VBB生成电路;存取时间可为70/80/100ns;刷新周期16ms。
MSM514412A/AL　动态RAM
工作电压5.0V;容量1M×4位;输入、输出同TTL电平兼容;内置VBB生成电路;存取时间可为70/80/100ns;刷新周期16ms;多位检测模式。
MSM51C262　多口存储器
工作电压5.0V;容量64K×4位;CMOS动态RAM;电源电流85mA;备用时电流6mA;快速页面访问方式;双向数据传送;屏蔽位写入功能。256个刷新周期为4秒;I/O同TTL电平兼容。
MSM521001LL　静态RAM
工作电压5.0V;容量128K×8位;输入、输出同TTL电平兼容;存取时间可为70/80/100ns;三态输出;备用时电流100μA。
MSM548128 　高速PSRAM
工作电压5.0V;容量1M;快速访问时间小于80ns;备用时电流小于200μA;CMOS随机静态RAM。
MSM548512　高速PSRAM
工作电压5.0V;容量4M;快速访问时间小于80ns;CMOS工艺的随机静态RAM。
TC511000C　1M×1位CMOS动态RAM
输入、输出同TTL电平兼容;512刷新周期/8ms(仅/RAS)可隐刷新/CAS前/RAS刷新;VCC=+5V。类似型号:HM511000、HM511001、HM511002、TC511000、TC511001、TC511002。
TC511001C　1M×1位CMOS动态RAM
输入、输出同TTL电平兼容;静态列方式;VCC=+5V。
TC514258P　256K×4位CMOS动态RAM
三态输出;所有输入输出同TTL电平兼容;512刷新周期/8ms(仅/RAS); 改写/CS前/RAS刷新;VCC=+5V。类似型号:M5M44C256P、M5M44C258P、TC514256P/J、TC514258P/J。
TMM41100C　1M×1位NMOS动态RAM
输入输出同TTL电平兼容;512刷新周期/8ms(仅/RAS)可隐刷新/CAS前/RAS刷新;VCC=+5V。类似型号:MB811000、MN411000/411001、MSM411000/411001、TMM411001C。
TMS2532　4K×8位EPROM
三态输出;数据可紫外线擦除;除18引脚外,与2708、2716型引脚兼容;单+5V电源;当/CS为“L”时,读输出选择有效。类似型号:HN462532、TMS25L32、NMC2532、MCM2532、MCM25L32、MSM2532。
W24010/LL　静态RAM 
工作电压5.0V;容量128K×8位;存取时间小于70ns;输入/输出同TTL电平兼容;三态输出;数据保存最低电压2.0V。
W24011A　静态RAM
工作电压5.0V;容量128K×8位;存取时间12/15/20ns; 功耗小于1W;三态输出;输入、输出同TTL电平兼容。
W24024A　静态RAM
工作电压5.0V;容量128K×8位;存取时间12/15/20ns; 功耗小于600mW;三态输出;输入、输出同TTL电平兼容。工作电流小于200mA。
W24L0101A　高速静态RAM
工作电压3.3V;静态电流小于5mA;功耗300mW;存取时间15ns;输入输出同TTL电平兼容;三态输出;电源电流小于150mA。
W24L011A　高速静态RAM
工作电压3.3V;功耗小于0.45W;存取时间10ns;输入输出同TTL电平兼容;三态输出。
W25P240A　突发式管线型静态RAM
工作电压3.3V;同步运行;支持66/75MHz的总线速度;字节可写;可异步输出;I/O同LVTTL电平兼容;支持Intel公司的突发式模式。主要引脚定义为:/GW:全写;/BWE:字节写入允许;/ADV:内部突发地址计数器预置值;/ADSC:来自芯片组的地址状态;/ADSP:来自CPU的地址状态。
引脚功能表
W25S022A　突发式静态RAM
工作电压3.3V;容量64K×32位;存取时间小于12ns;可异步输出;可写字节;同步运行;支持2T/2T及2T/1T两种方式;主要引脚定义如下:/GW:全写入;/BWE:字节写入允许;/ADSP:来自CPU的地址状态;/ADSC:来自芯片组的地址状态;MS:模式选择;/LSD:低位地址突发序列;/ADV:内部突发地址计数器预置值。
引脚功能
W27E010　电可擦除EPROM
工作电压5.0V;容量128K×8位;擦除电压14V;编程电压12V;存取时间45/55/70/90ns;读写电流30mA;静态电流5μA;三态输出;输入、输出同TTL/CMOS电平兼容。
W27E040　电可擦除EPROM
工作电压5.0V;擦除电压14V;编程电压12V;存取时间90/120ns;读写电流15mA;静态电流5μA;三态输出;输入、输出同TTL/CMOS电平兼容;容量512K×8位。
W27E400　电可擦除EPROM
工作电压5.0V;擦除电压14V;容量4M位;编程电压12V;存取时间90/120ns;读写电流15mA;静态电流5μA;输入、输出同TTL/CMOS电平兼容; 三态输出;主要引脚定义如下:Q15/CMOS电平兼容;三态输出;主要引脚定义如下;Q15/AB;字模式/字节模式;/BYTE:字节/字并关。
W27E4096　电可擦除EPROM
工作电压5.0V;擦除电压14V;编程电压12V;容量256K×16位; 存取时间90/120ns;读写电流15mA;静态电流5μA;输入、输出同TTL/CMOS电平兼容; 三态输出。
W29C010　闪速存储器
工作电压5.0V;电流25mA;静态电流20μA;容量128K×8位;页面编程周期小于10ms;每页128字节;读取时间70/90/120ns;数据保存10年以上;输入输出同TTL电平兼容。
W29C020　闪速存储器
工作电压5.0V;页面写入周期小于10ms;每页128字节;读取时间70/90/120ns;数据保存10年以上;输入输出同TTL电平兼容;工作电流25mA;静态电流20μA;容量256K×8位;字节写入时间39μs。
W29C040　闪速存储器
工作电压5.0V;驱动电流25mA;静态电流20μA;页面写周期19.5μs;每页256字节;读取时间90/120/150ns;数据保存10年以上;容量512K×8位。
W29C101　闪速存储器　
工作电压5.0V;驱动电流25mA;静态电流20μA;页面编程周期小于10ms;每页128字节;容量64K×16位;读取时间70/90/120ns;数据保存10年以上;输入输出同TTL电平兼容。
W29C102　闪速存储器　
工作电压5.0V;驱动电流25mA;静态电流20μA;容量64K×16位;页面编程周期小于10ms;每页128字节;读取时间70/90/120ns;数据保存10年以上。
W29EE011　闪速存储器　
工作电压5.0V;驱动电流50mA;编程电压5.0V;容量128K×8位;读取时间90/12/150ns;页面编程周期小于10ms;每页128字节;数据保存10年以上;输入输出同TTL电平兼容。
μPD27C1024D 64K×4位CMOS EPROM
输入输出同TTL电平兼容;数据三态输出;16位数据线(最适用于16位CPU);VDD=+15V;数据可紫外线擦除;当/CE和/OE同时为“L”且/PGM为“H”时,读输出选择有效。